规划明确，香港将启动建设首个落地本地的国家制造业创新中心，依托香港国际化区位优势，整合内地与全球科创、产业、资本资源，助力国内功率半导体领域实现技术领跑与产业突破。该创新中心由香港微电子研发院主导运营，选址落户微电子中心大楼，依托现有产业基础升级建设，计划于2027年正式揭牌成立。特区政府已专项预留约2.2亿港元资金，保障创新中心建设落地。
公开资料显示，香港微电子研发院于2024年9月正式设立，整体获批资金达28.4亿港元。其中24.78亿港元专项用于搭建两条8英寸第三代半导体中试线，分别聚焦碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）功率器件的技术研发与中试试产，产线落地元朗微电子中心大楼。中试平台全面对外开放，可为各类科技企业、科研机构提供器件原型研发、样品试制、性能测试与权威认证一站式服务，赋能本土半导体技术成果转化。
产业链上游配套同步完善，MassPhoton（麻省光子技术）落地香港科技园，投资不低于2亿港元，打造香港首条超高真空氮化镓外延片中试产线，搭建专业化GaN外延材料研发与工艺迭代平台。与此同时，东微电子进驻元朗创新园，布局半导体前端设备研发生产基地，针对性配套本地微电子产线设备需求，完善半导体设备、材料、晶圆制造全链条配套体系。
