据韩国半导体媒体TheElec报道，三星电机（SEM）正与高通合作开发面向AI芯片的2.1D异构集成先进封装方案，双方针对该技术平台已经开展超过一年的研发与可靠性认证工作。
这套2.1D封装方案的核心创新点，是采用嵌入式有机桥片。技术架构思路和英特尔EMIB嵌入式多芯片互连桥接技术相近，但摒弃EMIB方案内的硅桥，改用PCB领域常用的有机材料制作桥接结构。有机桥片本质是集成5至7层RDL重布线线路的微型基板，目标实现1.5~2微米线宽线距、4~5微米通孔尺寸，可实现500至1000根每毫米的线路图案密度，在芯粒之间搭建高速互联通道。
相比硅桥，有机材料桥片的制造成本更低，同时这套方案能够绕开英特尔EMIB相关专利壁垒。项目现阶段主要在嵌入有机桥片的FC-BGA基板上开展性能、可靠性评估，目标用于高通面向数据中心场景的大型多芯粒AI芯片。报道提及，高通早在2024年10月就提交互连桥相关专利申请，并在次年3月在韩国招募有机桥技术研发人员。
除高通之外，三星电机还同步与多家客户推进有机桥2.1D封装基板的联合开发，该公司将这项技术作为先进封装业务的重要拓展方向。在当前AI算力芯片需求带动下，先进封装基板、芯粒互连方案的市场需求持续走高，2.5D封装主流方案多依赖硅中介层或者硅桥，硅材料会带来较高成本，有机桥方案试图在带宽、成本之间找到新平衡点。
行业资料显示，EMIB依靠局部嵌入硅桥，仅在芯片之间需要高带宽通信的区域使用高密度互连，其余区域保留常规有机基板。三星电机的有机桥方案延续这种“局部搭桥”的设计逻辑，只是把核心桥接载体替换为有机基材。
