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三星电子推出UFS 5.0闪存,读写带宽相较UFS 4.1翻倍

2026年6月23日,三星电子对外发布官方消息,正式推出通用闪存存储UFS 5.0产品系列。

官方披露,UFS 5.0基于三星第九代V-NAND(V9)闪存技术打造,产品研发全程围绕端侧本地AI运行需求完成专项优化,适配终端设备大模型高速加载、海量数据实时读写场景。该产品最高数据传输带宽可达10.8GB/s,对应顺序读取速度10.8GB/s,顺序写入速度9.5GB/s。对比前代UFS 4.1产品,整体传输带宽实现翻倍提升,可缩短本地大语言模型、AI图像视频运算的数据加载耗时,降低运行延迟。

产品遵循JEDEC发布的UFS 5.0行业标准,在功耗与封装尺寸层面同步完成优化。通过时钟门控、多电压调控两项技术,同等数据传输量下功耗较UFS 4.1降低40%以上;封装规格为7.5mm×13mm×0.9mm,体积相比前代缩小16.7%,设备厂商可利用腾出的内部空间扩容电池、影像模组或散热结构,产品最高支持1TB存储容量规格。

三星存储器事业部相关负责人在通稿中表示,端侧AI普及之下,嵌入式存储成为影响终端AI使用体验的核心硬件,UFS 5.0的落地将为手机、XR、AI穿戴设备提供底层高速存储支撑。企业同步披露量产规划,计划在2026年第四季度启动UFS 5.0规模化量产,下游适配场景覆盖旗舰智能手机、扩展现实头显、智能AI可穿戴终端。

公开产业信息显示,2026年2月JEDEC正式发布UFS 5.0标准化规范,三星、铠侠、SK海力士同步推进对应产品研发,本次三星为行业首家推出完整商用UFS 5.0方案的存储厂商。当前全球终端厂商加速布局本地离线AI功能,高速嵌入式存储需求持续上行,原有UFS 4.1带宽难以支撑超大参数模型本地运算,新一代高速闪存成为终端硬件升级刚需。

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