2026年6月17日，韩国媒体ZDNET Korea发布行业消息，三星电子正联合多家产业链合作伙伴，同步推进第七代10纳米级1D DRAM量产配套设备的联合研发工作。
据业内知情人士向媒体透露，三星当前的设备导入目标设定在2027年第二季度至第三季度，该时间规划存在调整可能性。行业人士表示，设备进厂后还需完成产线搭建、工艺调试、良率爬坡等一系列量产前置工作，综合全流程筹备周期测算，三星最早将在2027年底启动1D DRAM初步量产。此前市场曾传出2026年内实现1D DRAM量产的预期，消息人士称，受核心生产设备研发进度约束，该规划目前无法落地。三星已完成1D DRAM早期样品流片与内部工艺评估，现阶段攻坚重心集中在量产设备适配层面。
报道披露明确两代DRAM制程关键参数，第七代1D DRAM电路线宽区间为10至11纳米；当前市场商用的最新一代DRAM工艺为第六代1C DRAM，电路线宽约11至12纳米。行业通用技术规律显示，芯片电路线宽进一步缩小后，DRAM产品运行性能、电能损耗控制水平均会同步优化。存储芯片微缩至10纳米区间后，电容、光刻、薄膜沉积等工艺难度大幅提升，因此三星选择联合设备厂商同步定制适配产线设备，保障后续量产良率稳定。
知情人士同步透露1D DRAM的终端应用规划，该新一代存储工艺裸片将作为第九代高带宽内存HBM5E的核心存储芯片，产品商业化落地时间定在2029年。公开技术路线信息显示，三星当前量产的HBM4、HBM4E、HBM5产品均采用1C DRAM制程，HBM5E是首款规划搭载1D工艺的高端AI内存产品，面向下一代AI算力服务器场景设计。
