盛美此次公布的技术提升核心在于：高温SPM方案在15nm颗粒标准下，控制水平可低至15颗以内，显著优于市场主流方案。与市场主流方案需要定期通过DI水清洗腔体及周边环境，去除清洗腔及外围环境高温SPM气体残留物的方案不同，盛美独特的喷嘴设计（全球专利申请保护中）可有效避免相关污染问题，无需周期性DI水清洗即可实现稳定的清洗效果。这不仅有助于提升逻辑及存储客户产品良率，还可以通过免去外部腔体清洁，显著降低设备的维护需求。公司也已规划了进一步的性能提升路线，目标将颗粒尺寸进一步降低至13nm，以应对未来全球更先进工艺的需求。

SPCC是业界公认的专注于半导体清洗和制备技术的全球一流的技术论坛，每年汇聚国际巨头企业与顶尖科研机构参会。盛美此次在国际顶级舞台上公布这一关键技术升级，彰显了公司在全球半导体清洗领域的技术创新实力与行业影响力，得到与会学者，客户，以及设备同行的一致好评。

此次盛美重磅升级的高温SPM清洗技术，对全球先进工艺大晶粒AI芯片产业发展有重要意义。立足AI产业高速发展浪潮，盛美将持续秉持“差异化创新”战略，聚力突破行业技术壁垒、致力于领跑先进工艺前沿发展，打造高端半导体工艺制造的核心IP护城河，有效根除行业内卷，赋能全球AI产业创新升级与先进算力生态构建。