据多家日本媒体8月21日消息，日本经济产业省计划在2027年度预算案中新增1500亿日元（约合9.44亿美元）追加出资，投向本土先进晶圆代工企业Rapidus，该方案还需要后续国会流程审批后方可正式生效。如若预算顺利落地，加上此前2026年2月、6月两笔合计2500亿日元直接投资，日本政府直接出资总额将达到4000亿日元。
叠加委托研发形式下发的各项补贴，至2028年3月，政府层面整体扶持资金规模将逼近3万亿日元。日本三菱UFJ、三井住友、瑞穗三大银行正商讨提供最高2万亿日元、附带政府担保的融资方案，后续落地之后将进一步补足项目资金缺口，一场万亿级别的半导体攻坚计划正在全面铺开。
Rapidus进度如何？
巨额资金投入之下，Rapidus也对外亮出清晰的先进封装技术蓝图。在2026OCP亚太峰会上，Rapidus Design Solutions封装技术Field CTO Rozalia Beica公布中长期路线图，公司计划2030年实现8掩模版、6640平方毫米中介层量产，配套有机基板面积可达14400平方毫米，整体方案服务于600×600毫米面板级AI处理器封装项目。
对比台积电CoWoS硅中介层逐年放大掩模版面积的路线，Rapidus选择了差异化的大面板工艺路径。从产出效率数据来看，同规格8掩模版中介层，传统300毫米圆形晶圆仅可产出4颗，而600×600毫米方形面板能够产出49颗芯片，材料利用率优势十分突出。目前600毫米面板样品已经试制完成，公司将同步推进300mm晶圆、大尺寸面板两条产线并行开发。
依托日本NEDO 2026财年项目预算，Rapidus旗下RCS芯粒解决方案试验产线即将投产，重点攻克2.xD、3D高密度集成工艺，泛林Kallisto电镀设备将作为核心装备，完成600mm玻璃载板上面重布线层RDL的加工制造。
早在2025年末，Rapidus已经推出大尺寸玻璃中介层原型，目标锁定2028年实现商业化量产。除此以外，公司推出IIM创新集成制造模式，依靠传感器与AI实时监测生产过程、预判缺陷风险，打通设计端和制造端的数据闭环，目标建成全球首座前后道一体化工厂。
Rapidus被称为“日本半导体国家队”，已经完成2纳米GAA晶体管原型试制，2027年下半年正式启动2nm芯片量产，初期月产能6000片，次年爬坡至每月2.5万片。客户拓展方面，富士通成为首家正式商业客户，Tenstorrent拿到早期产能配额，目前团队已经和超过60家海内外企业展开商务洽谈。按照整体规划，Rapidus 2026年启动1.4nm工艺研发，瞄准2029年量产，目标缩短与头部厂商的制程差距。
