8月3日，据台湾《工商时报》、《经济日报》联合报道，芯片设计龙头联发科在最新一场投资者法说会上，正式官宣先进封装技术多元化布局。公司AI定制芯片（AI ASIC）项目将不再单一依赖台积电CoWoS先进封装，同步落地英特尔EMIB-T先进封装技术，标志着联发科正式形成双封装技术并行的发展策略。
此次技术布局升级，核心是为了适配全球云端厂商、数据中心客户的差异化需求。面对超大尺寸AI芯片在性能释放、功耗控制、成本管控等多维度的定制化要求，联发科通过组合两种主流2.5D先进封装方案，灵活匹配不同客户的产品设计诉求，更好承接全球AI基建高速扩容带来的芯片订单需求。
联发科CEO蔡力行在法说会上坦言，公司近年全力攻坚AI数据中心赛道，目前已跻身全球大型数据中心核心供应链体系。在技术合作层面，联发科一方面持续深化与台积电的协同，在先进制程上完成芯片设计的迭代优化；另一方面持续拓展多元封装合作生态，绑定头部封装技术厂商夯实产品竞争力。
凭借多年先进制程设计经验与大型芯片架构研发能力，联发科可依托台积电CoWoS、英特尔EMIB-T两大差异化封装路线，为客户研发超大尺寸、超高能效的AI ASIC芯片。值得注意的是，联发科此前已披露正在布局双先进封装技术体系，本次法说会是官方首次明确确认，第二大核心技术为英特尔EMIB-T方案。
从技术核心优势来看，EMIB-T是英特尔成熟EMIB嵌入式多芯片互连桥2.5D封装平台的迭代升级版本。该技术最大的创新点，在于摒弃了传统大面积硅中介层结构，通过在有机基板内嵌入微型硅桥实现多裸片互联，在保障高带宽、高密度芯片互连能力，且兼容HBM高带宽内存集成的基础上，大幅压缩封装生产成本，性价比优势十分突出。
相较于初代EMIB架构，全新的EMIB-T融入TSV硅穿孔技术，大幅优化芯片电源供给与信号传输效率，极大提升了大型AI芯片、Chiplet芯粒架构的设计灵活性。公开技术资料显示，EMIB-T可支撑8至10倍光罩尺寸的芯片集成，是当前行业内打造高性价比超大算力芯片的核心技术之一，也将成为联发科深耕高端AI芯片市场的重要技术壁垒。
