2026年6月22日，韩国产业媒体TheBell发布行业独家消息，披露三星电子平泽半导体园区P5 Fab2工地已批量进驻打桩机，项目动工时间较最初规划提前半年。
报道披露现场施工筹备完整进展，P5 Fab2地块已完成场地划界作业，场内集装箱同步完成转移清理，多台打桩机近期集中部署到位。行业知情人士表示，重型施工设备批量进场代表项目实质性土建施工即将启动，业内普遍预判工厂将在2026年7月举办破土动工仪式。
项目进度提前的核心驱动来自全球AI基础设施建设热潮，AI算力集群、数据中心持续释放HBM、DRAM、企业级NAND存储订单，叠加先进代工需求同步上行，三星电子调整长期资本开支规划，将P5 Fab2整体投资、建设时间表较原定计划提前约六个月落地。
P5 Fab2为三星平泽产业园区规划内第六座、同时也是最后一座300mm晶圆生产工厂，占地约12.8万平方米，采用地上三层一体化洁净室建筑结构。按照300mm晶圆口径测算，工厂满产后月产能区间为20万至30万片，官方规划投产时间为2029年。产线采用柔性混合制造设计，可同步量产全品类高端存储与代工产品，覆盖高带宽内存HBM、下一代1D DRAM、高层堆叠NAND闪存，以及多代先进制程逻辑代工业务。
配套项目信息显示，同地块姊妹工厂P5已于2025年底启动建设，目标2028年实现投产，两座工厂建筑结构、产能规划相近，合计总投资规模超120万亿韩元。P5系列双工厂建成后合计月产能最高可达60万片300mm晶圆，产能体量接近三星当前全部DRAM月度产出规模。
