美光扩产，拟投入93亿美元发力HBM
7月4日，美光科技（Micron Technology）在日本西部广岛县东广岛市的工厂举行了扩建工程的动土奠基仪式。
这项总投资达1.5万亿日元（约合93亿美元）的项目，旨在生产包括高带宽存储器（HBM）在内的先进存储芯片，以满足人工智能（AI）浪潮带来的旺盛需求。
据悉，该扩建工厂的核心任务是生产包括下一代高带宽存储器（HBM，如HBM4E等）在内的先进DRAM存储芯片。这类芯片是当前英伟达等科技巨头旗下AI处理器不可或缺的关键组件。
根据项目规划，美光科技预计将于2028年下半年起向该设施引入制造设备并逐步扩大生产规模，商业出货时间则定于2028年夏季前后。
为支持这一重大的半导体供应链建设项目，日本政府提供了力度空前的财政资金支持。日本经济产业省（METI）已承诺为该项目的资本成本提供最高5000亿日元的巨额补贴。
若算上此前已承诺的研发（R&D）支持资金，日本政府对美光在日运营的总资助额已达到约7750亿日元，承担了此次新项目近一半的投资成本。美光科技首席执行官Sanjay Mehrotra在奠基仪式上表示，“美光首批用于人工智能核心存储技术——HBM的生产晶圆，就是在广岛制造的”。该厂区依托日本本地完备的半导体材料、设备供应链，是企业全球AI存储产能布局的核心支点。
广岛工厂源自2013年美光收购尔必达存储后承接的成熟制造基地，扩建完成后将专门面向全球AI芯片厂商供应新一代HBM产品，同步支撑自动驾驶、高端数据中心存储芯片量产。